再次着眼“中国芯”：美国正酝酿新限制措施
据路透社援引知情人士称，美国考虑收紧对中国内存芯片制造商的出口，禁止对行业领头羊“长江存储”出口用于制造先进NAND闪存芯片的设备。若这一举措得到批准，将是美国针对中国半导体行业的最新打压。
四位熟悉此事的消息人士对路透社表示，美国正在考虑限制向长江存储技术有限公司（YMTC）等中国内存芯片制造商出口美国的制造设备。
这些未具名的消息人士表示，如果拜登政府采取这一行动，也可能损害韩国内存芯片巨头三星电子和SK海力士。三星在中国有两家大型工厂；SK海力士正在收购英特尔公司在中国的NAND闪存芯片制造业务。
美国众议院7月28日通过了一项法案，其中包括520亿美元对美国国内半导体制造补贴和激励措施。
据出口管制专家称，如果这一最新限制措施得到批准，这将标志着美国首次针对中国没有专门军事用途的存储芯片进行出口管制。此举还将寻求保护美国仅有的存储芯片生产商——威腾电子（也称“西部数据”）和美光科技，这两家公司共占NAND芯片市场约四分之一的份额。
NAND芯片用于在智能手机、个人电脑等设备以及亚马逊、Facebook和谷歌等公司的数据中心中存储数据。一部手机、笔记本电脑能容纳多少千兆的数据，取决于它包括多少枚NAND芯片及其先进程度。
尚未起草相关法规
两位消息人士对路透社表示，这个正在考虑中的行动，将禁止向中国出口用于制造超过128层的NAND芯片的设备。位于硅谷的泛林（LAM）研究公司和应用材料公司是此类设备的主要供应商。
消息人士都对路透社表示，拜登政府对此事的考虑目前尚处于早期阶段，还没有起草相关议案
所有消息人士都表示，美国政府对此事的考虑目前处于早期阶段，还没有起草相关议案。
被问及此事时，负责监督出口管制的美国商务部发言人没有讨论可能提出的限制，但是称“拜登政府专注于削弱（中国）在制造先进半导体方面的努力，以应对美国重大国家安全风险”。
快速成长的“长江存储”
总部位于武汉的长江存储科技有限责任公司（YMTC，简称“长江存储”）是制造NAND闪存芯片的一支新兴力量。
公开资料显示，长江存储2016年由紫光国芯与武汉新芯公司合并而成。出资方包括紫光集团和中国国家资本，注册资本高达人民币386亿元。
2020年4月13日，长江存储宣布成功“跳级”推出128层QLC 3D NAND闪存，单颗容量达1.33Tb。2018年4月26日，中国领导人习近平到长江存储视察，并发表谈话，表示“要实现两个一百年奋斗目标，一些重大核心技术必须靠自己攻坚克难”。
白宫在2021年6月的一份报告中写道，美光科技和威腾电子正面临长江存储的低价压力。该报告说，长江存储接受了中国当局约240亿美元的补贴，其扩张和低价产品对美光和威腾构成“直接威胁”。
法国半导体咨询机构Yole Intelligence的专家库恩（Walt Coon）称，长江存储目前约占全球NAND闪存芯片产量5%，比一年前几乎翻了一番。相比之下，威腾电子约占13%，美光占11%。
据彭博社报道，长江存储在提供闪存芯片方面正在与苹果公司谈判。
若真推出“将重创长江存储”
半导体行业专家库恩表示，如果拜登政府真推出该限制措施，将重创长江存储，“如果他们被迫停留在128层（3D NAND），我不知道他们怎样才能继续发展”。
咨询机构Yole Intelligence的数据也显示，中国的NAND芯片产量已经从2019年的不足14%，增长到今年全球总量的23%以上，而同期美国的产量从2.3%下降到1.6%。对于美国公司来说，几乎所有的芯片生产都在海外完成。
目前尚不清楚这个可能的限制措施会对中国其他企业产生什么影响。据路透社报道，英特尔保留了一份合同，管理其正出售给SK海力士的中国工厂的运营。根据英特尔的一份新闻稿，该工厂已在中国生产144层的内存芯片。
华盛顿矛头对准中国芯片产业
在川普执政期间，中美两国在科技领域的紧张关系加深，此后这种紧张一直持续。
彭博社在7月初援引知情人士报道，指华盛顿已向荷兰施压，要求其禁止半导体制造设备大厂阿斯麦（ASML）向中国出售生产芯片所需的关键设备。路透社于7月8日报道，拜登政府考虑限制向中国运送制造先进逻辑芯片的设备，以寻求限制中芯国际的发展。
美国国会上周通过了芯片法案，巨资支持美国国内芯片生产，以抗衡来自中国的竞争。
中国晶圆代工厂中芯成功量产7奈米芯片，传出美国扩大对中国半导体设备出口管制因应。产业专家认为，除了逻辑芯片，也会影响中国的DRAM和3D NAND Flash，堪称“一箭三雕”，这将使中国半导体中长期发展面临重重阻碍。
美国先前限缩中国取得半导体先进制程设备，但即使缺少荷兰艾司摩尔（ASML）的极紫外光（EUV）设备，中芯仍传出在先进制程技术发展上获重大突破，已量产出货7奈米芯片1年多时间，震撼各界。
光刻机是半导体生产的重要设备，EUV光刻机是推进先进制程的关键；深紫外光（DUV）则用于成熟制程。
台经院产经资料库研究员暨总监刘佩真研判，中芯极有可能利用深紫外光（DUV）设备，加上多层光罩，达到7奈米生产。
刘佩真说，中芯目前7奈米量产产能规模可能还小，良率比较不稳定，且成本非常高昂，7奈米性价比相对不高，并可能受到来自美方管制措施，影响客户下单意愿，实际效应有限。
媒体报道，美国扩大对中国半导体设备的管制，两大半导体设备供应商科林研发（Lam Research）、科磊（KLA）透露，最近收到华府通知，未取得许可证的美企，禁止出售14奈米以下半导体设备给中芯等中企，就连台积电在中国的晶圆代工厂也可能被列入禁售。台积电对此并没有评论。
工研院产科国际所研究总监杨瑞临表示，美国先前已禁止10奈米以下的先进半导体设备出口中国，这次进一步扩大管制范畴至14奈米以下制程，且包括台积电等外商在中国设立的半导体厂也都被纳入管制。
杨瑞临指出，微影、蚀刻及量测检测是半导体最重要的3道制程，其中，微影的EUV设备市场由荷兰艾司摩尔（ASML）独占，科林研发为蚀刻设备龙头，市占率逾5成，科磊为检测设备龙头，市占率也超过5成。
杨瑞临说，观察美国对中国采取的新管制措施，美国应经过深入研究，对中国半导体的管制相当到位，除了逻辑芯片外，对于中国的动态随机存取记忆体（DRAM）和3D储存型快闪记忆体（NAND Flash）也都会有影响，是“一箭三雕”的做法，中国半导体产业中长期发展恐面临重重阻碍。
他表示，韩国记忆体厂三星（Samsung）和SK海力士（Hynix）都在中国设厂，可能因而受到波及，未来中国厂扩产可能遭受影响。
至于台积电方面，杨瑞临说，台积电南京厂未来扩产是否会受到影响有待观察，不过，台积电生产重镇在台湾，台湾厂在生产效率与成本等方面最具竞争力，预期台积电所受影响应有限。
国泰台湾5G+ ETF基金经理人苏鼎宇也认为，对台积电影响有限，但会增加中芯发展的难度，半导体设备制造商也可能受到影响。至于美国正视中芯可能是复制台积电技术这件事，对台积电发展可以正向看待，短期在禁售趋严下成熟制程业务可能增加因应调整的成本，长线对于台积电高阶制程竞争力则更有保障。
